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高精电子器件不仅是关乎国计民生的强国利器，更是国际科技竞争的白热区域。由于体硅材料工艺已接近物理极限，寻找替代硅的高性能二维材料就成为了核心关键。我们采用了两种策略用以获得单原子层、原子级有序二维半导体。有望在宽禁带半导体技术方面有可观前景。
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